澳门永利网上娱乐

北京时间11月28日报道，近期中国永利奥门娱乐场业要发展自己的存储器，包括DRAM（存储器）及3D NAND闪存。 存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占永利奥门娱乐场总体市场的三分之一。据，中国市场消耗了全球DRAM产值的48%，消耗了全球NAND Flash产值的35%，年进口总额高达880亿美元，对外依赖度超过90%。 对中国厂商来说，中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿至200亿美元，其中低容量NAND有60亿至100亿美元，NOR约30亿美元，低容量DRAM约70亿美元。 随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始，再向高容量存储芯片迈进。 DRAM及3D NAND闪存是中国市场需求量最大类芯片，因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片技术。 存储器业的特点是，它的设计并不难，如NAND闪存基本上有两种结构类型，一种是Floating Gate浮栅式结构，美光，英特尔采用，另一种是Charge Trap电荷捕获型结构，在3D NAND闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix在内的闪存厂商普遍选择了Charge Trap结构。 在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。（VCG） DRAM量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持，困难在于产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能否坚持下去。 二季度，在DRAM方面，三星市占45%份额，Hynix（海力士）市占29%份额，及在NAND闪存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可见韩国垄断全球存储器业。这种局面长久下去并不利于产业进步。 ...转自多维新闻网http://www.dwnews.com...1574990646641...

北京时间11月28日报道，近期中国永利奥门娱乐场业要发展自己的存储器，包括DRAM（存储器）及3D NAND闪存。

存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占永利奥门娱乐场总体市场的三分之一。据，中国市场消耗了全球DRAM产值的48%，消耗了全球NAND Flash产值的35%，年进口总额高达880亿美元，对外依赖度超过90%。

对中国厂商来说，中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿至200亿美元，其中低容量NAND有60亿至100亿美元，NOR约30亿美元，低容量DRAM约70亿美元。

随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始，再向高容量存储芯片迈进。

DRAM及3D NAND闪存是中国市场需求量最大类芯片，因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片技术。

存储器业的特点是，它的设计并不难，如NAND闪存基本上有两种结构类型，一种是Floating Gate浮栅式结构，美光，英特尔采用，另一种是Charge Trap电荷捕获型结构，在3D NAND闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix在内的闪存厂商普遍选择了Charge Trap结构。

在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。（VCG）

 DRAM量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持，困难在于产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能否坚持下去。

二季度，在DRAM方面，三星市占45%份额，Hynix（海力士）市占29%份额，及在NAND闪存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可见韩国垄断全球存储器业。这种局面长久下去并不利于产业进步。