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美光拿出第一批第4代3D NAND芯片样品

2019-10-09 17:41:33 来源:cnBeta

【大比特导读】美光科技已经流片第一批第四代3DNAND存储芯片,它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3DNAND内存,但美光警告称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定澳门永利网上娱乐,因此明年其3DNAND成本削减将微乎其微。

美光科技已经流片第一批第四代3DNAND存储芯片,它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3DNAND内存,但美光警告称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定澳门永利网上娱乐,因此明年其3DNAND成本削减将微乎其微。

美光

美光第四代3DNAND使用多达128个有源层,并在阵列设计方法上继续使用CMOS。新型3DNAND存储器改变了用于栅替换的浮栅技术,以试图降低尺寸和成本,同时提高性能,并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发,没有英特尔任何投入,因此它很可能是针对美光公司最希望针对的澳门永利网上娱乐量身定制。

美光第四代128层3DNAND成功流片表明,该公司的新设计不仅仅是一个概念。同时,美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG工艺技术,因此公司范围内每比特成本明年不会显著下降。尽管如此,该公司承诺在其后续RG工艺节点广泛部署之后,到2021财年将真正开始降低成本。

目前,美光科技正在提高96层3DNAND的产量,并于明年开始在其绝大部分产品线中使用。128层3DNAND硬件不会立即导致每比特成本显着下降,但是会随着时间推移而下降。后续工艺节点(美光第五代3DNAND)可能具有至少128层,并且如果被广泛使用,它将大大降低产品每比特成本。

本文由大比特商务网收集整理(www.tok-voi.com)

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