大比特商务网旗下:
智能照明 智能家电 AI+IoT与智能家居 电机驱动与控制 快充与无线充 电驱动与BMS 锂电保护与BLDC 智能四表 汽车照明
您的位置: 永利奥门娱乐场器件澳门永利网上娱乐网 >>行业要闻 >> 行业新闻 >> 超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

2019-09-12 11:04:52 来源:永利奥门娱乐场器件澳门永利网上娱乐网

【大比特导读】本次研讨会将重点介绍安森美永利奥门娱乐场强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

 电动汽车进程在持续推进以配合节能减排的趋势,对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间,需要更高能效、输出功率、功率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美永利奥门娱乐场强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

 
优酷链接:https://v.youku.com/v_show/id_XNDI4NzY3MjA2MA==.html?spm=a2hzp.8244740.0.0
 

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,

我们将及时更正、删除,谢谢。

  • 赞一个(
    0
    )
  • 踩一下(
    0
    )
分享到:
阅读延展
安森美

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
Copyright Big-Bit © 1999-2016 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任